Институт радиотехники и электроники им.В.А.Котельникова Российской академии наук (ИРЭ РАН)

Cоздан в 1953 году по инициативе Заместителя министра обороны СССР по радиовооружению инженер-адмиралом Акселем Ивановичем Бергом для решения насущных вопросов радиоэлектроники, в том числе оборонного характера.
Он расположен в бывшем здании физического факультета Московского государственного университета им.М.В. Ломоносова на Моховой улице недалеко от Кремля.

В сентябре 1953 вышло соответствующее постановление Президиума АН СССР, и Аксель Иванович был назначен «директором-организатором» нового академического учреждения.

В 1955 году был образован филиал ИРЭ РАН в г. Фрязино Московской области, а затем в 1979 году и в 1990 году были созданы филиалы ИРЭ РАН в Саратове и Ульяновске.

В 2007 г. институту было присвоено имя Владимира Александровича Котельникова, который в период с 1954 по 1988 год руководил институтом.

Академик В.А. Котельников — основатель теории потенциальной помехоустойчивости. Всемирную известность и широкое использование получила теорема отсчетов (теорема Котельникова). Разработал основы и создал аппаратуру телеметрии для самолетов и ракет, а также радиолокации планет Солнечной системы. Сыграл большую роль в развитии отечественной науки как директор Института радиотехники и электроники РАН и вице-президент РАН.

В настоящее время основной задачей ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН являются фундаментальные исследования в таких областях как радиофизика, радиотехника, физическая и квантовая электроника, информатика, фотоника и радиофотоника, акустоэлектроника, наноэлектроника, новые материалы.

Для разработки и исследования свойств новых «умных» материалов, а также исследования вопросов их применения в устройствах различной функциональности, основанных на достижениях в области нанотехнологии и акустоэлектроники сотрудники Лаборатории акустоэлектронных процессов в твердотельных структурах (Лаб.173) и Лаборатории физических свойств нанокомпозитных материалов для информационных технологий (лаб.193) создали междисциплинарную группу «Умные материалы и сенсоры».

В рамках этого направления ведутся работы, связанные с разработкой, созданием и исследованием новых композитных материалов с управляемыми параметрами (smart materials) с применением наноматериалов и нанотехнологий. Разработки и исследования в области сенсорных технологий связаны с созданием новых чувствительных покрытий для сенсорных устройств различной функциональности. Применение различных технологий — акустоэлектронных, магнитоэлектронных, наноэлектронных, оптических, кондуктометрических, микрофлюидных и биотехнологий позволяет разрабатывать различные гибридные сенсорные устройства на новых принципах.

Все проекты, ведущиеся в Группе носят междисциплинарный характер, связанный с применением химических, биологических, микро и наноэлектронных и информационных технологий.

 

Новости лаборатории

string(0) "" string(0) ""